Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6925ADQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP
SI6925ADQ-T1-GE3 Hakkında
SI6925ADQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V Drain-Source gerilimi ile 3.3A sürekli dren akımı sağlar. 8-TSSOP yüzey montajlı paket içinde sunulan SI6925ADQ, -55°C ile +150°C arasında çalışır. 45mOhm maksimum On-direnci (Rds On) ile güç kaybını minimize eder. Gate Charge değeri 6nC olup, 1.8V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DC-DC konvertörler, güç yönetimi ve hassas anahtar kontrol devrelerinde tercih edilir. Maksimum 800mW güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygun bir seçenektir. Lütfen güncel stok durumu ve alternatif bileşen seçeneklerini kontrol ediniz.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 800mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok