Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6925ADQ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP
SI6925ADQ-T1-E3 Hakkında
SI6925ADQ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V drain-source gerilimi ve 3.3A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 4.5V gate geriliminde 45mOhm'luk düşük RDS(on) değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 8-TSSOP yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 800mW maksimum güç kapasitesi ile orta güçlü uygulamalara uygundur. Bileşen üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 800mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok