Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6924AEDQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
SI6924AEDQ-T1-GE3 Hakkında
SI6924AEDQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 28V drain-source gerilimi ve 4.1A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir. 8-TSSOP SMD paketinde sunulan transistör, düşük gate charge (10nC @ 4.5V) ve 33mOhm on-resistance değerleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan ve 1W maksimum güç tüketim kapasitesine sahip bu komponent, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Ürün artık obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 28V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok