Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6924AEDQ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
SI6924AEDQ-T1-E3 Hakkında
SI6924AEDQ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 28V drain-source gerilimi, 4.1A sürekli drain akımı ve 33mOhm on-state direnci ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olması, düşük kontrol geriliminde çalışmasını sağlar. 8-TSSOP surface mount paketinde sunulan bu komponentin maksimum güç dağılımı 1W'tır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmekte, düşük gate charge gereksinimleri (10nC) sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Motor sürücüleri, power management uygulamaları, load switching ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu ürün üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 28V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok