Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6913DQ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
SI6913DQ-T1-GE3 Hakkında
SI6913DQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistör dizisidir. 8-TSSOP yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 12V Vdss derecelendirilmesi ve 4.9A sürekli dren akımı kapasitesiyle orta güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 21mΩ Rds(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlayan logic level gate özelliğine sahiptir. Gümrük kapısı eşiği 900mV olup, entegre gücü 830mW'tır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Güç yönetimi, anahtarlama düzenleyicileri, motor sürücüleri ve genel anahtarlama devrelerinde kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 5.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok