Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6913DQ-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
SI6913DQ-T1-E3 Hakkında
SI6913DQ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistöridir. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 12V Drain-Source gerilimi ile 4.9A sürekli drenaj akımı sağlar. 8-TSSOP yüzey montaj paketinde sunulan SI6913DQ, 21mOhm RDS(on) değeri ile düşük direnç özelliği gösterir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 28nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemlerine imkan tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 5.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok