Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6562DQ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
SI6562DQ-T1-GE3 Hakkında
SI6562DQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V Drain to Source Voltage (Vdss) değeri ile orta voltaj uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliğine sahip olup, 4.5V gate voltajında 30mOhm Rds(On) değeri sunmaktadır. 8-TSSOP yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uygun şekilde tasarlanmıştır. Güç yönetimi, solenoid kontrol, motor sürücü uygulamaları ve genel anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 25nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Ürün obsolete statüsünde olup, yeni tasarımlar için yerine geçen seçenekler incelenmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok