Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6562DQ-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
SI6562DQ-T1-E3 Hakkında
SI6562DQ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual kanal MOSFET (N-Channel ve P-Channel) transistör dizisidir. 20V drain-source gerilimi ile çalışabilen bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahip olup 4.5V gate geriliminde 4.5A drain akımında 30mOhm on-direnci değerine ulaşır. 8-TSSOP yüzey montaj paketinde sunulan SI6562DQ, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Gate charge değeri 25nC olup, threshold gerilimi 600mV'tur. 1W maksimum güç tüketimi ile düşük güçlü uygulamalara uygundur. Ürün kullanımdan kaldırılmış (Obsolete) olup stok kısıtlı olabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok