Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6562CDQ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
SI6562CDQ-T1-GE3 Hakkında
SI6562CDQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen entegre MOSFET dizi bileşenidir. N-channel ve P-channel MOSFET'leri içeren bu komponent, 20V drain-source voltajında 6.7A (N-ch) ve 6.1A (P-ch) sürekli drenaj akımı sağlar. Logic level gate özelliği ile 4.5V Vgs'de 22mOhm on-direnci sunmaktadır. 8-pin TSSOP paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Gate charge değeri 23nC @ 10V olup, input kapasitansi 850pF @ 10V'tir. Bu komponent, anahtarlama uygulamaları, AC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Düşük on-direnci sayesinde ısıl kayıp minimize edilir ve verimlilik artar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.7A, 6.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.6W, 1.7W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok