Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5999EDU-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI5999EDU
SI5999EDU-T1-GE3 Hakkında
SI5999EDU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Vdss ile tasarlanan bu komponent, sürekli 6A drain akımı kabiliyetine sahiptir. Logic Level Gate özelliğiyle düşük gate voltajında çalışabilir ve 4.5V Vgs'de 59mOhm Rds(on) değeri sunar. PowerPAK® ChipFET™ Dual paketinde sunulan bu yüzey montajlı transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve genel amaçlı FET uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Bileşen ürün yaşam döngüsü sonuna ulaştığı için yeni tasarımlarda kullanılması önerilmez.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 496pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 10.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok