Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5997DU-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI5997DU
SI5997DU-T1-GE3 Hakkında
SI5997DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen çift kanal P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajına ve 6A sürekli dren akımına sahip bu bileşen, logic level gate uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® ChipFET™ Dual paketinde sunulan komponentin 54mOhm (10V, 3A) RDS(on) değeri düşük kaçak akımı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SI5997DU, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve gerilim denetleyicilerde yaygın olarak kullanılır. 10.4W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 14.5nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sürelerine imkan tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 10.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok