Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5980DU-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI5980DU
SI5980DU-T1-GE3 Hakkında
SI5980DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen çift N-Kanal MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli drain akımı ile çalışabilir. PowerPAK® ChipFET™ Dual paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 567mOhm maksimum on-direnç (10V, 400mA) ile düşük kayıp işletme sağlar. 3.3nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon performansı sunar. Surface mount montajı ile kompakt PCB tasarımlarına uyumludur. Maksimum 7.8W güç tüketimine kadar işletme kabiliyeti vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 78pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 567mOhm @ 400mA, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok