Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5975DC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
SI5975DC-T1-GE3 Hakkında
SI5975DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 12V drain-source voltaj ile tasarlanan bu bileşen, 3.1A sürekli dren akımında çalışabilir ve logic level gate kontrolü sağlar. Surface mount 1206-8 ChipFET paketinde sunulan SI5975DC, 86mOhm on-state direnci ile düşük güç kaybı gerektiren uygulamalarda kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ile 150°C) stabil performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve baskılı devre kartlarında kompakt alan gerektiren tasarımlarda tercih edilir. 9nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 86mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok