Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5947DU-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI5947DU
SI5947DU-T1-GE3 Hakkında
SI5947DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® ChipFET™ Dual paketinde sunulan SI5947DU, 58mOhm (4.5V, 3.6A) Rds(On) değeri ile düşük açık-devre direncine sahiptir. İşletim sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasındadır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, pil kontrol sistemleri ve gerilim regülatörlerinde kullanıma uygundur. Surface mount montajı için tasarlanmış bu MOSFET, 10.4W maksimum güç dissipasyonunu destekler. 1.5V kapı eşik gerilimi, hızlı komutasyon gerektiren uygulamalarda etkin kontrolü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 10.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok