Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI5943DU-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK

Üretici
Vishay
Seri / Aile Numarası
SI5943DU

SI5943DU-T1-GE3 Hakkında

SI5943DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. 12V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 6A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesiyle düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip bu transistör, 4.5V Vgs'de 64mOhm'luk düşük On-resistance (Rds(on)) değeri sunarak verimli anahtarlama işlemleri sağlar. PowerPAK® ChipFET™ Dual paketinde sunulan bileşen, yüksek entegrasyonlu uygulamalarda yer tasarrufu yaparak güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama devreleri için uygun bir çözümdür. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 8.3W güç yayması kapasitesine sahiptir. Dönem sonu ürün (Obsolete) olup alternatif bileşenlerin göz önünde bulundurulması önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 6V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Dual
Part Status Obsolete
Power - Max 8.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 3.6A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFet Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok