Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI5938DU-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK

Üretici
Vishay
Seri / Aile Numarası
SI5938DU

SI5938DU-T1-E3 Hakkında

SI5938DU-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 6A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliğine sahip olması, düşük gerilim kontrol devrelerinde doğrudan kullanılmasını sağlar. PowerPAK® ChipFET™ Dual paketinde sunulan bu bileşen, 39mΩ maksimum on-state direnci ile verimli anahtarlama performansı sunmaktadır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) ve düşük gate charge (16nC @ 8V) değeri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Kontrol elektroniği, motor sürücüleri ve güç yönetim sistemlerinde kullanıma uygundur. Ürün Obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Dual
Part Status Obsolete
Power - Max 8.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFet Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok