Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5936DU-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI5936DU
SI5936DU-T1-GE3 Hakkında
SI5936DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 6A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Logic level gate özelliği ile düşük voltaj sinyal kontrolüne olanak sağlar. 10.4W maksimum güç derating kapasitesi ve 30mOhm on-resistance değerleri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, motor sürücülerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. PowerPAK® ChipFET™ paketleme ile kompakt PCB tasarımlarına uygun boyutta sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı geniş sıcaklık koşullarında kullanımı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 10.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok