Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5935DC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
SI5935DC-T1-GE3 Hakkında
SI5935DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj desteği ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olan bileşen, düşük gate drive voltajlarında çalışabilir. 86mOhm maksimum on-resistance değeri ile minimum güç kaybı sağlar. Surface mount 1206-8 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli şekilde kullanılabilir. Motor kontrol, power management ve analog switch uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 86mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok