Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5935CDC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
SI5935CDC-T1-GE3 Hakkında
Vishay SI5935CDC-T1-GE3, 2 P-Channel MOSFET dizisini içeren yüzey montajlı bir elektronik bileşendir. 20V Drain-Source gerilim derecelendirmesi ve 4A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 100mOhm RDS(on) değerine sahip bu transistör, güç yönetimi, anahtar kontrol ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 8-SMD ChipFET™ paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 3.1W güç tüketiminde başarılı performans gösterir. Gate şarjı 11nC ve Ciss değeri 455pF olması, hızlı anahtarlama özellikleri gerektiren devreler için uygun kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 455pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok