Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI5933DC-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
SI5933DC

SI5933DC-T1-E3 Hakkında

SI5933DC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 2.7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle kompakt uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliğine sahip bu komponent, düşük gate charge (7.7nC) sayesinde hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. 110mOhm on-resistance değeri ile verimli güç iletimini sağlar. Surface Mount paketlemesi (1206-8 ChipFET) sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında kullanılabilir. Endüstriyel sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışan bu komponent, güç yönetimi, anahtarlama ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. Şu anda Obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 1.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok