Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5933CDC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
SI5933CDC-T1-GE3 Hakkında
SI5933CDC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source voltaj dayanımı ve 3.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 1206-8 SMD paket içinde sunulan bu bileşen, analog ve dijital anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve sinyal kontrolü gereken sistemlerde kullanılır. Düşük 144mOhm on-state direnç (RDS(on)) ve 6.8nC gate charge karakteristikleriyle verimli işlem sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu FET, 2.8W maksimum güç dağıtımı kapasitesindedir. Yüksek entegrasyon gerektiren kompakt tasarımlara uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 276pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 144mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok