Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI5933CDC-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
SI5933CDC

SI5933CDC-T1-E3 Hakkında

SI5933CDC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilim değeri ve 3.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Surface Mount paketinde (1206-8 ChipFET™) sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. 144mOhm on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Analog sinyal anahtarlaması, DC/DC konvertör kontrolleri ve düşük güçlü dijital uygulamalarda kullanılabilir. Cihaz obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 276pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 2.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 144mOhm @ 2.5A, 4.5V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok