Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5922DU-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI5922DU
SI5922DU-T1-GE3 Hakkında
SI5922DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 6A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu komponent, PowerPAK® ChipFET™ Dual paketinde sunulmaktadır. 19.2mΩ on-resistance değeri ile düşük kaybı hedef alan uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. Surface mount yapısı sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 765pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 10.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.2mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok