Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5920DC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
SI5920DC-T1-GE3 Hakkında
SI5920DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 8V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımında çalışır. 32mΩ on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 1206-8 ChipFET™ paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 12nC gate charge ve 680pF input capacitance özelliklerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.12W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok