Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5915DC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
SI5915DC-T1-GE3 Hakkında
SI5915DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen Dual P-Channel MOSFET transistörüdür. Logic Level Gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 8V Drain-Source gerilimi ve 3.4A sürekli drain akımında çalışır. SMD 1206-8 paketinde sunulan bu transistör, 70mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve genel analog/dijital kontrol işlemlerinde kullanılan bu dual transistör dizi, geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok