Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5915DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
SI5915DC-T1-E3 Hakkında
SI5915DC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. 8V drain-source voltaj ve 3.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük voltaj uygulamalarında kullanıma uygundur. 70mOhm on-state direnci ve 9nC gate charge değerleri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Surface mount 1206-8 paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüsü ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılan entegre FET çözümüdür. Not: Bu ürün üretim dışı statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok