Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5915BDC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
SI5915BDC-T1-GE3 Hakkında
SI5915BDC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu FET dizisi, 8V drain-source voltajında 4A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 1206-8 SMD paketinde sunulan bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (14nC @ 8V) ve düşük on-direnci (70mOhm @ 3.3A, 4.5V) sayesinde verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenilir operasyon yapabilen bu transistör, tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok