Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5915BDC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
SI5915BDC-T1-E3 Hakkında
SI5915BDC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim uygulamalarında kullanıma uygundur. 70mOhm on-resistance (RDS-on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 1206-8 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, analog anahtarlama ve kontrol devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 14nC gate charge ve 420pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özellikleri vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok