Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5908DC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
SI5908DC-T1-GE3 Hakkında
SI5908DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source geriliminde 4.4A sürekli akım kapasitesine ve 40mOhm on-resistance değerine sahiptir. 7.5nC gate charge ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 1206-8 ChipFET paketinde sunulan bu transistör, güç denetim, ses/ses frekansı amplifikasyon devreleri, motor kontrol ve şarj yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 1.1W maksimum güç dağılımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok