Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5906DU-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI5906DU
SI5906DU-T1-GE3 Hakkında
SI5906DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK® ChipFET™ Dual paket içinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source voltajında 6A sürekli drenaj akımı sağlama kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük gating voltajlarında çalışabilen bu transistör, 31mOhm maksimum on-state direncine sahip olup güç uygulamalarında verimli operasyon sunar. 10.4W maksimum güç seviyesinde çalışan SI5906DU, elektronik kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında geniş sıcaklık aralığında işletilmesi mümkündür. Surface mount paketleme ile kompakt PCB tasarımlarına uygun bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 10.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok