Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI5905DC-T1-E3

MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
SI5905DC

SI5905DC-T1-E3 Hakkında

SI5905DC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 8V drain-source voltaj aralığında 3A sürekli dren akımına sahip bu bileşen, logic level gate kontrol özelliği ile entegre devre tasarımlarında doğrudan sürülme kapasitesi sağlar. 90mOhm (4.5V, 3A koşullarında) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sunar. Surface mount 1206-8 paketinde sunulan SI5905DC, -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Uygulamalarında anahtarlama devreleri, solenoid kontrol, LED sürücüleri ve genel amaçlı MOSFET switch uygulamaları yer alır. Notu: Bu parça artık üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 1.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok