Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5905BDC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
SI5905BDC-T1-GE3 Hakkında
SI5905BDC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu komponentin sürekli drenaj akımı 4A, dren-kaynak gerilimi 8V ve maksimum kapasitesi 3.1W'dır. RDS(on) değeri 80mOhm (3.3A, 4.5V koşullarında) olup, düşük kapı yükü (11nC @ 8V) sayesinde hızlı anahtarlama sağlar. Surface Mount 8-SMD paket türünde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaya uygun. Bileşen kullanımdan kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok