Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI5905BDC-T1-E3

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
SI5905BDC

SI5905BDC-T1-E3 Hakkında

SI5905BDC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistöründür. 8V drain-source voltajına ve 4A sürekli drain akımına sahiptir. Logic Level Gate özelliğine sahip olan bu komponent, 80mOhm (3.3A, 4.5V) RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. 8-SMD flat lead pakajında sunulan SI5905BDC-T1-E3, yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları, güç dağıtım devrelerinde, motor kontrolü ve analog switch uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında ve 3.1W maksimum güçte çalışabilir. Surface mount teknolojisi ile PCB'ye doğrudan monte edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 4V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 3.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok