Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5904DC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
SI5904DC-T1-GE3 Hakkında
SI5904DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V drain-source gerilim (Vdss) ve 3.1A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gatting voltajları ile kontrol edilebilir. 75mOhm'luk RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamaları, LED sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve sinyal anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. Surface mount 1206-8 paket yapısı ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygunluğu sağlar. 6nC gate charge değeri ile düşük sürüş gücü gerektiren tasarımlar için elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok