Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5904DC-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
SI5904DC-T1-E3 Hakkında
SI5904DC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V Drain-Source gerilimi ve 3.1A sürekli drenaj akımı ile çalışmaktadır. Surface Mount 1206-8 paketinde sunulan SI5904DC, 75mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 6nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level girişi sayesinde mikrodenetleyici entegrasyonu kolaylaşır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok