Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5903DC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI5903DC-T1-GE3 Hakkında
SI5903DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 20V drain-source voltaj desteği ile 2.1A sürekli dren akımına kapaklı olan bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahiptir. 8-SMD Flat Lead paketinde sunulan ve 1206-8 ChipFET™ formatındaki bu transistör, 155mOhm (4.5V, 2.1A) olarak belirtilen RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sunar. Gate charge değeri 6nC (@4.5V) olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1.1W güç dağıtabilir. Surface mount teknolojisi ile PCB tasarımlarına entegre edilmeye hazır olan bu bileşen, anahtarlama ve lojik uygulamalarında kullanılabilir. Lütfen arşiv bileşen olması nedeniyle alternatif çözümleri değerlendirin.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 2.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok