Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI5903DC-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
SI5903DC

SI5903DC-T1-E3 Hakkında

SI5903DC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET dizisi olup, logic level gate kontrolü sağlayan bir transistördür. 20V drain-source voltaj, 2.1A sürekli drain akımı ve 1.1W maksimum güç derecelendirmesine sahiptir. 155mΩ RDS(ON) değeriyle düşük iletim kaybı sunar. Surface mount 1206-8 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve portable elektronik cihazlarda yaygın olarak kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol devreleriyle uyumludur. Lütfen dikkat: Bu parça yeni tasarımlarda kullanılmayan obsolete statüdedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 1.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok