Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5902DC-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
SI5902DC-T1-E3 Hakkında
SI5902DC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 2.9A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği ile düşük voltaj kontrol sinyallerine uyumludur. 85mOhm (10V, 2.9A) on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Surface mount 1206-8 ChipFET™ paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığında kullanılabilir. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve diğer anahtarlama uygulamalarında yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok