Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5902BDC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
SI5902BDC-T1-GE3 Hakkında
Vishay SI5902BDC-T1-GE3, dual N-channel MOSFET transistör olup 30V drain-source voltajına ve 4A sürekli drain akımına sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük voltaj sinyal seviyeleri ile kontrol edilebilir. 65mOhm (max) RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. Surface mount 1206-8 ChipFET pakajında sunulmuş olup, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Power Management, motor kontrol, solenoid sürücü ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılan kompakt bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.12W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok