Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5902BDC-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
SI5902BDC-T1-E3 Hakkında
SI5902BDC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET'tir. Logic Level Gate özelliği ile düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 30V Drain-Source gerilimi ve 4A kontinyu drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 65mOhm RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount 1206-8 SMD paketinde sunulur ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.12W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok