Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5519DU-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETS
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI5519DU
SI5519DU-T1-GE3 Hakkında
SI5519DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual MOSFET (N-Channel ve P-Channel) transistör dizisidir. PowerPAK® ChipFET™ paketinde sunulan bu komponent, 20V darin-kaynak gerilimi ve 6A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 36mOhm (4.5V, 6.1A'da) düşük RDS(on) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılabilir. Düşük gate charge (17.5nC @ 10V) hızlı anahtarlamaya olanak tanır. Surface mount teknolojisiyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında yer alabilir. LED sürücüler, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Not: Bu ürün geçersiz durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 10.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 6.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok