Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5517DU-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI5517DU
SI5517DU-T1-GE3 Hakkında
SI5517DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N ve P-Channel MOSFET transistör dizisidir. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source voltajında 6A sürekli drain akımı sağlayabilir. PowerPAK® ChipFET™ Dual paket içinde sunulan komponent, düşük RDS(On) değeri (39mOhm @ 4.4A, 4.5V) sayesinde ısıl verleri minimize eder. 8.3W maksimum güç tüketimi ile motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetim devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi, geniş sıcaklık aralığında uygulamalar için uygun kılmaktadır. Küçük Gate Charge (16nC @ 8V) ve düşük Input Capacitance (520pF @ 10V) değerleri, hızlı anahtarlama ve verimli sürücü tasarımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 8.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok