Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5515DC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
SI5515DC-T1-GE3 Hakkında
SI5515DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N ve P kanallı MOSFET dizi entegre devresidir. 20V drain-source gerilimi ile çalışan bu komponent, 4.4A (N-Ch) ve 3A (P-Ch) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gerilim lojik devrelerden doğrudan kontrol edilebilir. 40mOhm maksimum RDS(On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 8-SMD 1206-8 paketinde sunulan bu MOSFET dizisi, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A, 3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok