Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5515DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
SI5515DC-T1-E3 Hakkında
SI5515DC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen entegre MOSFET transistör dizisidir. N-kanallı ve P-kanallı kanalları tek paket içinde barındıran bu bileşen, 20V drain-source voltaj sınırlaması ile çalışır. 4.4A (N-kanallı) ve 3A (P-kanallı) maksimum sürekli dren akımına sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim sürücü devrelerle doğrudan uyumludur. 40mOhm açık durum direnci ve 7.5nC gate charge değerleri ile anahtarlama hızı ve verim açısından optimize edilmiştir. Surface mount 1206-8 ChipFET paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, sürücü devreler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A, 3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok