Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5515CDC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
SI5515CDC-T1-GE3 Hakkında
SI5515CDC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N ve P-channel MOSFET dizisidir. Logic level gate özelliği ile 3.3V ve 5V kontrol sinyalleriyle doğrudan çalışmaya uygundur. 20V Drain-Source gerilim ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Düşük on-direnç (36mOhm @ 4.5V) ve miniatur 1206-8 SMD paketleme ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında tercih edilir. Motor sürücüler, güç anahtarlamaları, LED denetimi ve dijital güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, çeşitli endüstriyel ve otomotiv ortamlarına uygunluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 632pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok