Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5515CDC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
SI5515CDC-T1-E3 Hakkında
SI5515CDC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen çift kanal MOSFET dizisi olup N-channel ve P-channel transistörleri aynı pakette içerir. 20V drain-source voltaj desteği ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük kontrol voltajları ile çalışabilir. Surface mount 1206-8 ChipFET™ paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. Düşük on-resistance (36mOhm @ 4.5V) değeri ile enerji verimli devre tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 632pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok