Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5513DC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
SI5513DC-T1-GE3 Hakkında
SI5513DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-channel ve P-channel transistörleri içeren bu komponent, 20V drain-source gerilim kapasitesi ve 3.1A/2.1A sürekli drenaj akımı ile çalışmaktadır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gate voltajı ile kontrolü mümkündür. 75mOhm RDS(on) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. 6nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama operasyonlarında tercih edilir. Surface mount teknolojisi ile 1206-8 paket formatında sunulan bu komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devrelerine, güç yönetim sistemlerine ve kontrol uygulamalarına uygun bir çözümdür. Maksimum 1.1W güç tüketimi ile kompakt tasarımları destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A, 2.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok