Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5513DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
SI5513DC-T1-E3 Hakkında
SI5513DC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N/P-channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain to Source Voltage (Vdss) ve 3.1A/2.1A sürekli drenaj akımı ile çalışır. Logic Level Gate özelliğine sahip olan bu bileşen, düşük gate voltajlarında (4.5V) 75mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. 1.1W maksimum güç harcaması ile güç yönetimi, sinyal anahtarlaması, motor kontrolü ve DC/DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. Surface mount 8-SMD pakette sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A, 2.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok