Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5513CDC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
SI5513CDC-T1-GE3 Hakkında
SI5513CDC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N ve P-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source voltajında 4A sürekli drenaj akımı sağlar. 1206-8 SMD paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında kullanılmaya uygundur. 55mOhm düşük on-resistance değeri ile güç uygulamalarında enerji kaybını minimuma indirir. Geniş işletme sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, güç yönetimi, anahtarlama devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. 3.1W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile compact tasarımlar için idealdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A, 3.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 285pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok