Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5513CDC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
SI5513CDC-T1-E3 Hakkında
SI5513CDC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük kontrol gerilimi ile çalışabilir. 55mΩ RDS(On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SMD 1206-8 paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC konvertörler, güç dağıtım modülleri, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A, 3.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 285pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok